Ohmické kontakty na SiC s omezenou reaktivitou disertační práce

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Cichoň, Stanislav, 1984- (Autor práce) 
Další autoři: Macháč, Petr, 1953- (Vedoucí práce) 
Korporace: Vysoká škola chemicko-technologická v Praze. Fakulta chemické technologie  
Médium: Rukopis
Jazyk:čeština
angličtina
Vydáno: 2014
Žánr/forma:disertace
Témata:
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo otaguje tento záznam!
Obálka
LEADER 01668ntm a2200421 a 4500
001 000957511
003 CZ PrSTK
005 20200128134649.0
008 150204s2014 xr a f m 0 0 0 cze d
040 |a ABD025  |b cze 
041 0 |a cze  |a eng  |b cze  |b eng 
072 7 |a 621.38  |x Elektronika  |2 Konspekt  |9 19 
080 |a 621.382.2/.3-022.53(043) 
080 |a 621.315.59(043) 
080 |a 543.424.2(043) 
080 |a 546.281`261(043) 
100 1 |a Cichoň, Stanislav,  |d 1984-  |7 ntk2015861134  |4 dis 
245 1 0 |a Ohmické kontakty na SiC s omezenou reaktivitou  |h [rukopis] :  |b disertační práce /  |c Stanislav Cihoň ; školitel Petr Macháč 
246 3 3 |a Ohmic contacts on SiC with limited reactivity 
260 |c 2014 
300 |a 178, [45] s. :  |b il. (převážně barev.) 
500 |a Seznam zkratek a symbolů 
504 |a Obsahuje bibliografii 
546 |a Text část. v angličtině, resumé v angličtině a češtině 
502 |a Disertace--Vysoká škola chemicko-technologická v Praze 
653 0 |a ohmické kontakty 
653 0 |a karbid křemíku 
655 7 |a disertace  |7 fd132024  |2 czenas 
650 0 7 |a mikroelektronika  |x el  |7 psh2038  |2 psh 
650 0 7 |a polovodiče  |x et  |7 psh2125  |2 psh 
650 0 7 |a silicidy  |x ch  |7 psh5859  |2 psh 
650 0 7 |a polovodičové součástky  |x el  |7 psh1966  |2 psh 
650 0 7 |a Ramanova spektrofotometrie  |x ch  |7 psh5689  |2 psh 
650 0 7 |a tenké vrstvy  |x ch  |7 psh5514  |2 psh 
700 1 |a Macháč, Petr,  |d 1953-  |7 ntk2015861160  |4 ths 
710 2 |a Vysoká škola chemicko-technologická v Praze.  |b Fakulta chemické technologie  |7 kn20020321361 
910 |a ABD025 
996 |a 967  |b 3198132345  |c 150035  |d 20150204  |g V D 3983  |l Sklad  |t 11